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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.231 artículos)

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MOSFET Infineon IPA029N06NXKSA1, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 84 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-220 FP Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IPA029N06NXKSA1
a partir de € 2,08*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFR220PBF, VDSS 200 V, ID 4,8 A, DPAK (TO-252) (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
IRFR220PBF
a partir de € 0,268*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN3R2-40YLDX MOSFET, CANAL N, 40V, 120A, 175°C, 115W (2 ofertas) 
Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor S...
Nexperia
PSMN3R2-40YLDX
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R040M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IMW120R040M1HXKSA1
€ 2.000,88*
por 240 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 5,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: rama automotri...
onsemi
FQD12N20LTM-F085
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 110ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 78mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA32N20T
a partir de € 0,95*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN3R3-40MSHX MOSFET, CANAL N, 118A, 40V, LFPAK33-8 (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 101 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Susta...
Nexperia
PSMN3R3-40MSHX
a partir de € 0,419*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMZA65R057M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 35 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Má...
Infineon
IMZA65R057M1HXKSA1
a partir de € 7,049*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 74W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: D2PAK;TO263 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 5,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipad...
Vishay
IRF630SPBF
a partir de € 0,49*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPA040N06NM5SXKSA1, VDSS 60 V, ID 72 A, PG-TO 220 FP (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 220 FP Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPA040N06NM5SXKSA1
€ 0,674*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 130ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA48N20T
a partir de € 2,09*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN3R9-100YSFX MOSFET, CANAL N, 100V, 120A, 150°C, 245W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN3R9-100YSFX
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1200 V, 60 mΩ SiC en encapsulado TO247-3 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En co...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
a partir de € 4,98*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN7R6-60BS,118 MOSFET, CANAL N, 60V, 92A, TO-263 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0059 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN7R6-60BS,118
a partir de € 0,661*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPI320N20N3 G transistore 200 V (1 oferta)
Infineon
IPI320N20N3GAKSA1
a partir de € 1,18*
por unidad
 
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