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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.574 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 100ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 15mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFT150N20T
a partir de € 12,80*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV50EPEAR MOSFET AEC-Q101, CANAL P, -30V, SOT-23-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMV50EPEAR
a partir de € 0,097*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R048M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 45 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
€ 4,208*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 830W ...
IXYS
IXFK140N20P
a partir de € 9,76*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV450ENEAR MOSFET, CANAL N, 60V, 0.8A, TO-236AB (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Nexperia
PMV450ENEAR
a partir de € 0,288*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RBFLLG
a partir de € 10,37*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia PMV50XNEAR, VDSS 30 V, ID 3,4 A, SOT-23 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
Nexperia
PMV50XNEAR
a partir de € 0,425*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUZ40N06S5L050ATMA1, VDSS 60 V, ID 90 A, TSDSON de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TSDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de ...
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1
a partir de € 2,44*
por 5 unidades
 
 envase
NEXPERIA PMV50XPAR MOSFET, CANAL P, 20V, 3.6A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.047 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P C...
Nexperia
PMV50XPAR
a partir de € 0,47*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMZ120R090M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = IMZ1 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
a partir de € 7,237*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 607ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTH16N20D2
a partir de € 10,51*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV50XPR MOSFET, CAN P, -20V, -3.6A, TO236AB-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.048 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PMV50XPR
a partir de € 0,0825*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IMBG65R072M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 33 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R072M1HXTMA1
a partir de € 5,772*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV52ENEAR MOSFET AEC-Q101 CANAL N 30V 3.2A 0.63W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.052 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMV52ENEAR
a partir de € 0,47*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMW65R030M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 58 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R030M1HXKSA1
a partir de € 327,51*
por 30 unidades
 
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