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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.804.306 artículos)

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Infineon IPB120N08S4-03 transistore 60 V (1 oferta)
Infineon
IPB120N08S403ATMA1
€ 2.118,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268HV Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 12mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFT120N25X3HV
a partir de € 8,71*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 137 A, PG-TO252-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB042N10N3GATMA1
a partir de € 1,842*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDMA1032CZ MOSFET, N & P CH, 20V, 3.7A, MICROFET (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.7 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
onsemi
FDMA1032CZ
a partir de € 0,349*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPB023N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 122 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 122 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB023N04NF2SATMA1
a partir de € 1,201*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268HV Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 170A Resistencia en estado de transferencia: 7,4mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFT170N25X3HV
a partir de € 13,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB029N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB029N06NF2SATMA1
a partir de € 0,753*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO3P; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 12mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFQ120N25X3
a partir de € 7,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB048N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPB048N15N5ATMA1
a partir de € 5,733*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB024N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
Infineon
IPB024N10N5ATMA1
a partir de € 4,034*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 180A Resistencia en estado de transferencia: 12,9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 139...
IXYS
IXFK180N25T
a partir de € 12,94*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMA86551L MOSFET, CANAL N, 60V, 7.5A, MICROFET-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pin...
onsemi
FDMA86551L
a partir de € 0,464*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 96...
IXYS
IXFX140N25T
a partir de € 8,96*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDD86252 MOSFET, CANAL N, 150V, 27A, 89W, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pin...
onsemi
FDD86252
a partir de € 2,565*
por 5 unidades
 
 envases
MOSFET Infineon IPB049N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima D...
Infineon
IPB049N08N5ATMA1
a partir de € 1,451*
por unidad
 
 unidades
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