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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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NEXPERIA PSMN069-100YS,115 MOSFET, N CH, 100V, 17A, LFPAK (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0566 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN069-100YS,115
a partir de € 0,201*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB100N04S204ATMA4, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios l...
Infineon
IPB100N04S204ATMA4
a partir de € 2,733*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 20V, 6A, SOT-23 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0265 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Monta...
Vishay
SI2312CDS-T1-GE3
a partir de € 0,115*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN3R0-30YLDX MOSFET, N CH, 30V, 100A, POWER-SO-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN3R0-30YLDX
a partir de € 0,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB123N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 58 A, PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB123N10N3GATMA1
a partir de € 1,302*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO3P; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 12mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFQ120N25X3
a partir de € 7,32*
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 unidad
NEXPERIA PSMN102-200Y,115 MOSFET, CANAL N, 200V, 21.5A, LFPAK56 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.086 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
Nexperia
PSMN102-200Y,115
a partir de € 0,425*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB100N06S2L-05 transistore 55 V (2 ofertas)
Infineon
IPB100N06S2L05ATMA2
a partir de € 2,372*
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 unidad
NEXPERIA PSMN3R3-40MLHX MOSFET, CANAL N, 118A, 40V, LFPAK33-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0027 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Nexperia
PSMN3R3-40MLHX
a partir de € 0,388*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPAN80R450P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = CoolMOS™ P7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...
Infineon
IPAN80R450P7XKSA1
a partir de € 0,986*
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 unidades
MOSFET Vishay IRFP264PBF, VDSS 250 V, ID 38 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP264PBF
a partir de € 2,03*
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NEXPERIA PSMN1R0-30YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 275A, SOT-669 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-669 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 224 W Calificación - Máx. Tensi...
Nexperia
PSMN1R0-30YLEX
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB100N06S2L05ATMA2, VDSS 55 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado D2-PAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxim...
Infineon
IPB100N06S2L05ATMA2
a partir de € 3,382*
por unidad
 
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NEXPERIA PSMN3R9-100YSFX MOSFET, CANAL N, 100V, 120A, 150°C, 245W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN3R9-100YSFX
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB160N04S203ATMA4, VDSS 40 V, ID 160 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™-T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima ...
Infineon
IPB160N04S203ATMA4
a partir de € 2,701*
por unidad
 
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