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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.803.404 artículos)

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MOSFET Infineon IPB100N04S4H2ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, PG-TO263-3-2 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1
a partir de € 1,297*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 96W...
Toshiba
TK13P25D,RQ(S
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMQ8403 MOSFET, CANAL N CUµD, 100V, 6A, WDFN-12 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto PowerTrench GreenBridge Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número...
onsemi
FDMQ8403
a partir de € 1,61*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 49mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 392W...
onsemi
FDA59N25
a partir de € 2,18*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMC012N03 MOSFET, CANAL N, 185A, 30V, PQFN (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 960 µohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
onsemi
FDMC012N03
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB120N08S4-04 transistore 80 V (1 oferta)
Infineon
IPB120N08S404ATMA1
€ 1.344,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5,4A; Idm: 22A; 1,3W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 5,4A Resistencia en estado de transferencia: 91mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
DMN2053UW-7
a partir de € 0,0637*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMS007N08LC MOSFET, CANAL N, 80V, 84A, 150°C, 92.6W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0049 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...
onsemi
FDMS007N08LC
a partir de € 1,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB100N04S204ATMA4, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios l...
Infineon
IPB100N04S204ATMA4
€ 1,483*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5,6A; Idm: 35,2A; 38W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 5,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,43Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FQPF9N25C
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMC4435BZ MOSFET, P CH, -30V, -18A, MLP-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
onsemi
FDMC4435BZ
a partir de € 0,368*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB100N12S305ATMA1, VDSS 120 V, ID 166 A, PG-TO263-3-2 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 120 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB100N12S305ATMA1
a partir de € 2,248*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960W ...
IXYS
IXFK140N25T
a partir de € 8,94*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SUM10250E-GE3 MOSFET CANAL N, 250V, 63.5A, 175°C, 375W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0247 ohm Gama de Producto ThunderFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal ...
Vishay
SUM10250E-GE3
a partir de € 1,69*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMC610P MOSFET, CANAL P, -12V, -80A, POWER 33-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0028 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 P...
onsemi
FDMC610P
a partir de € 0,913*
por unidad
 
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