MOSFET | MERCATEO (Página 864/1.673)

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MOSFET Infineon IPB026N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, PG-TO263-3 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPB026N06NATMA1

€ 0,684*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 78W; TO252 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 0,56Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...

Alpha & Omega Semiconductor

AOD8N25

a partir de € 0,43*
por unidad

ONSEMI FDS6898A. MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8 (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dren...

onsemi

FDS6898A.

a partir de € 2,01*
por 5 unidades

MOSFET Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, TO 263 de 3 pines (1 oferta)

MOSFET Infineon OptiMOS™5 de potencia de canal N. Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 150V de Infineon son especialmente adecuados para controladores de baja tensión como carretillas elevadoras y sco...

Infineon

IPB073N15N5ATMA1

€ 1,719*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5,6A; Idm: 35,2A; 38W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 5,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,43Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...

onsemi

FQPF9N25C

a partir de € 0,63*
por unidad

ONSEMI FDS6912A MOSFET, DUAL, N, SO-8, FULL REEL (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dren...

onsemi

FDS6912A

a partir de € 0,263*
por unidad

MOSFET Infineon IPB027N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...

Infineon

IPB027N10N5ATMA1

a partir de € 3,085*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO3P; 95ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor: N...

IXYS

IXFQ60N25X3

a partir de € 4,79*
por unidad

MOSFET Infineon IPB100N04S4H2ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, PG-TO263-3-2 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPB100N04S4H2ATMA1

a partir de € 1,297*
por unidad

ONSEMI FDP045N10A-F102 MOSFET, CANAL N, 100V, 120A, 175°C, 263W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0038 ohm Gama de Producto PowerTrench Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Ca...

onsemi

FDP045N10A-F102

a partir de € 1,99*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36,3A; 125W; TO220AB (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 36,3A Resistencia en estado de transferencia: 32,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado...

Vishay

SUP10250E-GE3

a partir de € 1,90*
por unidad

ONSEMI FDS8858CZ MOSFET, DUAL, NP, SMD, SO-8, FULL REEL (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 8.6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...

onsemi

FDS8858CZ

a partir de € 0,325*
por unidad

Infineon IRFH5025 transistore 250 V (1 oferta)

Infineon

IRFH5025TRPBF

a partir de € 4.164,16*
por 4.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 148ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia: 44mΩ Tipo de transistor: ...

IXYS

IXTQ76N25T

a partir de € 3,61*
por unidad

ONSEMI FDS8896 MOSFET, N CH, 30V, 15A, SOIC-8 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0049 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...

onsemi

FDS8896

a partir de € 0,237*
por unidad

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