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  MOSFET  (25.083 ofertas entre 5.753.704 artículos)

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MOSFET Infineon IPB100N12S305ATMA1, VDSS 120 V, ID 166 A, PG-TO263-3-2 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 120 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB100N12S305ATMA1
€ 1,723*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRFI644GPBF (3 ofertas) 
MOSFET
Vishay
IRFI644GPBF
a partir de € 0,91*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SUM10250E-GE3 MOSFET CANAL N, 250V, 63.5A, 175°C, 375W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0247 ohm Gama de Producto ThunderFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal ...
Vishay
SUM10250E-GE3
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 48mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 38...
onsemi
FDPF51N25
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDPC5018SG MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 109A, 150°C (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 109 A Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 109 A Gama de Producto PowerT...
onsemi
FDPC5018SG
a partir de € 4,39*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPB110N20N3LFATMA1, VDSS 200 V, ID 88 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 88 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 N...
Infineon
IPB110N20N3LFATMA1
€ 3,396*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXFA60N25X3
a partir de € 4,41*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPB60R120P7ATMA1
a partir de € 1,413*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDS9435A MOSFET, P CH, 30V, 5.3A, SO8, FULL REEL (1 oferta) 
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama...
onsemi
FDS9435A
a partir de € 0,223*
por unidad
 
 unidades
Infineon
IPB60R080P7ATMA1
a partir de € 2,033*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDPF12N60NZ MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 150DEG C, 39W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.53 ohm Gama de Producto UniFET II Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal ...
onsemi
FDPF12N60NZ
a partir de € 1,004*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPB044N15N5ATMA1
€ 2.414,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDS9926A MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds C...
onsemi
FDS9926A
a partir de € 0,269*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.Tiene certificación AEC Q101
Infineon
IPB120N08S403ATMA1
€ 2,173*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFP60N25X3M
a partir de € 4,34*
por unidad
 
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