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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.489 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 195ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 73mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFH50N60X
a partir de € 7,14*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100E06N1,S1X(S MOSFET, CANAL N, 60V, 263A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0019 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100E06N1,S1X(S
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRL7486MTRPBF, VDSS 40 V, ID 209 A, WDSON de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 209 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Modo de Canal = Mejora ...
Infineon
IRL7486MTRPBF
€ 0,95*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS STY100NM60N MOSFET, CANAL N, 600V, 98A, MAX-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto MDmesh II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
ST Microelectronics
STY100NM60N
a partir de € 16,29*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRL530NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, D2PAK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRL530NSTRLPBF
a partir de € 0,956*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,175Ω Tipo de transis...
IXYS
IXFH24N60X
a partir de € 4,01*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 650W ...
IXYS
IXFT36N60P
a partir de € 7,43*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS TD351IDT GATE DRIVER, IGBT/MOSFET, 125DEG C (1 oferta) 
Corriente de Suministro 1.3 A Tipo de Interruptor de Potencia IGBT, MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada No Inversión Tensión de Alimentación Máx. 26 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)...
ST Microelectronics
TD351IDT
a partir de € 1,23*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRL7472L1TRPBF, VDSS 40 V, ID 375 A, DirectFET (L) (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 375 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DirectFET (L) Tipo de Montaje = Montaje en PCB
Infineon
IRL7472L1TRPBF
a partir de € 1,654*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS264™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 55A Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXFL82N60P
a partir de € 21,65*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10E60W,S1VX(S MOSFET, CANAL N, 600V, 9.7A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...
Toshiba
TK10E60W,S1VX(S
a partir de € 1,04*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLB8748PBF, VDSS 30 V, ID 92 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 92 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = ...
Infineon
IRLB8748PBF
a partir de € 42,50*
por 100 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24mA Resistencia en estado de transferencia: 800Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
Taiwan Semiconductor
TSM126CX RFG
a partir de € 0,118*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS VNN1NV04PTR-E MOSFET, N CH, 45V 1,7A, 0R25, SOT-223-4 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje d...
ST Microelectronics
VNN1NV04PTR-E
a partir de € 0,703*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPW60R080P7
a partir de € 4,57*
por unidad
 
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