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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.489 artículos)

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MOSFET Infineon IRL40SC209, VDSS 40 V, ID 478 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 478 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número de Elementos por...
Infineon
IRL40SC209
a partir de € 2,901*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M60S
a partir de € 12,76*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK090E65Z,S1X(S MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.075 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK090E65Z,S1X(S
a partir de € 2,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC011N06LM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 288 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 288 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1
€ 8.270,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,24Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTT30N60P
a partir de € 4,31*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STW8N120K5 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 6A, 130W, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.65 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 3 - 168 horas Número de Pines 3 Pines ...
ST Microelectronics
STW8N120K5
a partir de € 4,05*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRL40SC228, VDSS 40 V, ID 557 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 557 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRL40SC228
a partir de € 2,656*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 0,16Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,04kW...
IXYS
IXFQ50N60P3
a partir de € 5,65*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = TK090Z65Z Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia ...
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
a partir de € 4,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRL60HS118, VDSS 60 V, ID 18,5 A, DFN2020 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRL60HS118
a partir de € 0,557*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,165Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 25...
IXYS
IXKP24N60C5
a partir de € 3,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STWA68N65DM6, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
MOSFET DE CANAL N MDMESH M6STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDm...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
a partir de € 6,44*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100A08N1,S4X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100A08N1,S4X(S
a partir de € 1,52*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC012N04NM6ATMA1 (1 oferta) 
MOSFET
Infineon
ISC012N04NM6ATMA1
a partir de € 7,05*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IRL520NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRL520NSTRLPBF
a partir de € 0,681*
por unidad
 
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