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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.489 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CI
a partir de € 0,106*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,27Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ26N60P
a partir de € 2,84*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK14V65W,LQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Toshiba
TK14V65W,LQ(S
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC0804NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 59 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISC0804NLSATMA1
€ 3.020,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
VISHAY SIHG73N60E-GE3 MOSFET, N-CH, 650V, 73A, TO247AC (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.032 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SIHG73N60E-GE3
a partir de € 8,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2905TRLPBF, VDSS 55 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
La serie MOSFET Infineon HEXFET Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 55V y es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un tipo de encapsulado D-Pak. El HEXFET Infineon de ...
Infineon
IRLR2905TRLPBF
€ 0,64*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,536Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPP60R280CFD7
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK15A20D,S4X(S MOSFET, CANAL N, 200V, 15A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.12 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK15A20D,S4X(S
a partir de € 0,468*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRFIB6N60APBF, VDSS 600 V, ID 5,5 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFIB6N60APBF
a partir de € 1,09*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 290W...
IXYS
IXKH47N60C
a partir de € 16,37*
por unidad
 
 unidad
TOREX XP234N08013R-G MOSFET, CANAL N, 0.8A, 30V, SOT-323-3A (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.2 ohm Gama de Producto XP234N0801xx-G Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pi...
Torex Semiconductor
XP234N08013R-G
a partir de € 0,277*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,2A; 131W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 7,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT380A60L
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK16E60W5,S1VX(S MOSFET, CANAL N, 600V, 15.8A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.18 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encaps...
Toshiba
TK16E60W5,S1VX(S
a partir de € 1,31*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,5A; Idm: 13,5A; 52W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 3,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 52W ...
onsemi
FCD900N60Z
a partir de € 0,68*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK16V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 15.8A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje ...
Toshiba
TK16V60W,LVQ(S
a partir de € 1,30*
por unidad
 
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