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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.489 artículos)

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MOSFET Infineon ISK036N03LM5, VDSS 30 V, ID 44 A, PQFN 2 x 2 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 2 x 2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Número...
Infineon
ISK036N03LM5
€ 1.218,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60SC3G
a partir de € 13,60*
por unidad
 
 unidad
TOREX XP261N70023R-G MOSFET, CANAL N, 0.15A, 60V, SOT-323-3A (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3 ohm Gama de Producto XP261N7002xx-G Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Torex Semiconductor
XP261N70023R-G
a partir de € 0,0317*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17A65W,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A65W,S5X(M
a partir de € 1,27*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 3,9A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...
Vishay
IRFBC40LCPBF
a partir de € 0,79*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 29A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021BFLLG
a partir de € 17,51*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 17A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A80W,S4X(S
a partir de € 1,69*
por unidad
 
 unidad
Infineon ISP25DP06LMS transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
ISP25DP06LMSATMA1
a partir de € 0,208*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K09FU,LF(T MOSFET, N-CH, 30V, 0.4A, SOT-323 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
SSM3K09FU,LF(T
a partir de € 0,456*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; TO220FP; 340ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tiempo de disponibilidad: 340ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 7,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transist...
IXYS
IXKP20N60C5M
a partir de € 1,70*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 17A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17E80W,S1X(S
a partir de € 1,95*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB60R060P7 transistore 650 V (2 ofertas)
Infineon
IPB60R060P7ATMA1
a partir de € 2,573*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLMS1503TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,2 A, Micro6 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Modo de Canal = Mejora ...
Infineon
IRLMS1503TRPBF
a partir de € 0,16*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CP
a partir de € 0,085*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK190A65Z,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 15A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.158 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...
Toshiba
TK190A65Z,S4X(S
a partir de € 1,26*
por unidad
 
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