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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.489 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 29A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021BLLG
a partir de € 16,46*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 69W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB099CF C0G
a partir de € 3,53*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK14A65W,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, TO-220SIS (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK14A65W,S5X(M
a partir de € 1,13*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 135 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 135 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISC0702NLSATMA1
€ 3.055,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,4A; 125W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STB9NK60ZT4
a partir de € 0,65*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 68A Resistencia en estado de transferencia: 35mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60LC6
a partir de € 19,59*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK14E65W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK14E65W,S1X(S
a partir de € 1,2381*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
ST Microelectronics
STD2HNK60Z
a partir de € 0,212*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IRL80HS120, VDSS 80 V, ID 12,5 A, DFN2020 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia Máxima Dre...
Infineon
IRL80HS120
a partir de € 0,391*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPI60R125CP transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPI60R125CPXKSA1
a partir de € 2,83*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK14G65W,RQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, D2PAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Toshiba
TK14G65W,RQ(S
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC0802NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 150 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Infineon
ISC0802NLSATMA1
€ 5,325*
por 5 unidades
 
 envases
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,8A; 32W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM60N600CI C0G
a partir de € 1,55*
por unidad
 
 unidad
TOREX XP231P02013R-G MOSFET, CANAL P, 0.2A, 30V, SOT-323-3A (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.2 ohm Gama de Producto XP231P0201xx-G Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 P...
Torex Semiconductor
XP231P02013R-G
a partir de € 0,231*
por 5 unidades
 
 envase
TOSHIBA TK14N65W,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK14N65W,S1F(S
a partir de € 1,37*
por unidad
 
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