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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.803.410 artículos)

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MOSFET Infineon IRFS4115TRL7PP, VDSS 150 V, ID 105 A, D2PAK de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 105 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 7 Modo de Canal ...
Infineon
IRFS4115TRL7PP
a partir de € 2,347*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 104,7A; 312W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 22A Resistencia en estado de transferencia: 95mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 312W...
onsemi
FCA36N60NF
a partir de € 5,58*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK4R4P06PL,RQ(S2 MOSFET, CANAL N, 60V, 106A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0034 ohm Gama de Producto U-MOSIX-H Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Toshiba
TK4R4P06PL,RQ(S2
a partir de € 0,575*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFS7730TRL7PP, VDSS 75 V, ID 269 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 269 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 75 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRFS7730TRL7PP
a partir de € 1,632*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK2P90E,RQ(S MOSFET, CANAL N, 900V, 2A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.7 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK2P90E,RQ(S
a partir de € 0,378*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F60S
a partir de € 13,58*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK560A60Y,S4X(S MOSFET, CANAL N, 600V, 7A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.43 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encaps...
Toshiba
TK560A60Y,S4X(S
a partir de € 0,728*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFS4127TRLPBF, VDSS 200 V, ID 72 A, TO-262 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRFS4127TRLPBF
a partir de € 2,327*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK560P65Y,RQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.43 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Toshiba
TK560P65Y,RQ(S
a partir de € 0,553*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFS7734TRLPBF, VDSS 75 V, ID 183 A, D2PAK de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 183 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 75 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora ...
Infineon
IRFS7734TRLPBF
€ 1,172*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK31A60W,S4VX(M MOSFET, CANAL N, 600V, 30.8A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.073 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK31A60W,S4VX(M
a partir de € 3,34*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,165Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 25...
IXYS
IXKH24N60C5
a partir de € 2,43*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK58E06N1,S1X(S MOSFET, CANAL N, 60V, 105A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0044 ohm Gama de Producto U-MOSIX-H Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Can...
Toshiba
TK58E06N1,S1X(S
a partir de € 0,64*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRFS4620 transistore 200 V (1 oferta)
Infineon
IRFS4620TRLPBF
a partir de € 9,67*
por 10 unidades
 
 envases
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS220™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXKC23N60C5
a partir de € 7,84*
por unidad
 
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