MOSFET | MERCATEO (Página 1.075/1.670)

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TOSHIBA TK290A65Y,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 11.5A, TO-220SIS (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...

Toshiba

TK290A65Y,S4X(S

a partir de € 1,05*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6,4A; TO220F (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,75Ω Tipo de transistor: N-MOS...

Alpha & Omega Semiconductor

AOTF10N60

a partir de € 0,78*
por unidad

TOSHIBA TK10E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...

Toshiba

TK10E80W,S1X(S

a partir de € 1,44*
por unidad

MOSFET Infineon ISC017N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 193 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 193 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...

Infineon

ISC017N04NM5ATMA1

a partir de € 0,953*
por unidad

TOSHIBA TK290P65Y,RQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 11.5A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...

Toshiba

TK290P65Y,RQ(S

a partir de € 0,789*
por unidad

MOSFET Infineon ISC019N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Infineon

ISC019N03L5SATMA1

a partir de € 0,339*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 650ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de trans...

IXYS

IXKR40N60C

a partir de € 16,79*
por unidad

TOSHIBA TK10P50W,RQ(S MOSFET, CANAL N, 500V, 9.7A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...

Toshiba

TK10P50W,RQ(S

a partir de € 0,632*
por unidad

TOSHIBA TK2P90E,RQ(S MOSFET, CANAL N, 900V, 2A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.7 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...

Toshiba

TK2P90E,RQ(S

a partir de € 0,378*
por unidad

MOSFET Infineon SN7002NH6433XTMA1, VDSS 60 V, ID 200 mA, PG-SOT (2 ofertas)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-SOT Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SN7002NH6433XTMA1

a partir de € 0,041*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 (2 ofertas)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...

Infineon

IPW60R045CPFKSA1

a partir de € 10,71*
por unidad

TOSHIBA TK10V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 9.7A, DFN (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...

Toshiba

TK10V60W,LVQ(S

a partir de € 1,38*
por unidad

MOSFET Infineon ISC019N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 170 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 170 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...

Infineon

ISC019N04NM5ATMA1

a partir de € 0,971*
por unidad

MOSFET Infineon ISC022N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 230 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...

Infineon

ISC022N10NM6ATMA1

a partir de € 3,228*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264 (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT56M60L

a partir de € 14,85*
por unidad

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