Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.820.203 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9,7A; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 9,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,55Ω Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF12N60
a partir de € 0,91*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK31V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 30.8A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.078 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK31V60W,LVQ(S
a partir de € 1,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC037N03L5ISATMA1, VDSS 30 V, ID 78 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 78 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
ISC037N03L5ISATMA1
a partir de € 0,381*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK12E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 11.5A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.38 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK12E80W,S1X(S
a partir de € 1,49*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
El Infineon ISC010N04NM6 es un MSOFET de potencia de 6 A OPTIMOSTM de nivel normal de 40V V. El Infineon ofrece una solución de referencia para aplicaciones requeridas de nivel normal como aplicaci...
Infineon
ISC010N04NM6ATMA1
€ 4.660,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 320W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado...
IXYS
IXFR64N60P
a partir de € 12,26*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK31Z60X,S1F(O MOSFET, CANAL N, 600V, 30.8A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.073 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK31Z60X,S1F(O
a partir de € 5,78*
por unidad
 
 unidad
Infineon SPD15P10P G transistore 30 V (3 ofertas)
Infineon
SPD15P10PGBTMA1
a partir de € 0,714*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 66A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 540W P...
IXYS
IXKT70N60C5
a partir de € 10,20*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK12V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 11.5A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.265 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK12V60W,LVQ(S
a partir de € 0,987*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC045N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 63 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Can...
Infineon
ISC045N03L5SATMA1
€ 0,171*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 0,385Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPP60R385CPXKSA1
a partir de € 1,28*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK33S10N1Z,LQ(O MOSFET, N-CH, 100V, 33A, TO-252 (1 oferta) 
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0082 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id...
Toshiba
TK33S10N1Z,LQ(O
a partir de € 0,626*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC046N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 77 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 77 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número...
Infineon
ISC046N04NM5ATMA1
a partir de € 0,743*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPW60R031CFD7
a partir de € 9,97*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1670   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.