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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.820.203 artículos)

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TOSHIBA TK28E65W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.094 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK28E65W,S1X(S
a partir de € 2,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC012N04LM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 238 A., TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 238 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...
Infineon
ISC012N04LM6ATMA1
a partir de € 1,572*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3-2 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 31A Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω Tipo de transistor: N-MOS...
Infineon
IPB60R099CPATMA1
a partir de € 4,33*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100L60W,VQ(O MOSFET, N-CH, 600V, 100A, TO-3P (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK100L60W,VQ(O
a partir de € 21,84*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR8726TRPBF, VDSS 30 V, ID 86 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 86 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLR8726TRPBF
a partir de € 0,208*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 145ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 155mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFA30N60X
a partir de € 3,75*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK28N65W5,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK28N65W5,S1F(S
a partir de € 2,65*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6,3A; 90W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
ST Microelectronics
STD11NM60ND
a partir de € 1,20*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK10A60W5,S5VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, serie TK1x, Toshiba
Toshiba
TK10A60W5,S5VX(M
a partir de € 0,659*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC012N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 235 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 235 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Infineon
ISC012N04NM6ATMA1
€ 0,896*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 85A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 694W P...
IXYS
IXKK85N60C
a partir de € 33,84*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK28V65W5,LQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.115 ohm Gama de Producto - Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Toshiba
TK28V65W5,LQ(S
a partir de € 2,98*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC015N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 145 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 145 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1
a partir de € 1,065*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK10A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220SIS (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK10A80W,S4X(S
a partir de € 1,39*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,24Ω Tipo de transist...
IXYS
IXTH30N60P
a partir de € 6,26*
por unidad
 
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