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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.821.543 artículos)

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VISHAY SIHB065N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 40A, 600V, TO-263 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.057 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SIHB065N60E-GE3
a partir de € 3,16*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIJ186DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 79.4A, 60V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIJ186DP-T1-GE3
a partir de € 0,491*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics ISL6144IRZA, VDSS 12 V, ID 8 A, QFN (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V Tipo de Encapsulado = QFN Tipo de Montaje = Montaje superficial
Renesas Electronics
ISL6144IRZA
a partir de € 4,386*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 33A Resistencia en estado de transferencia: 91mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STP50N65DM6
a partir de € 5,15*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHB080N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-263 de 3 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-263 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
a partir de € 2,394*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTP082N65S3HF, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
on Semiconductor MOSFET es una nueva familia de MOSFET de unión de alta tensión de−−que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rend...
onsemi
NTP082N65S3HF
a partir de € 3,416*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO3P; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 135mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ32N65X
a partir de € 4,00*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIJ438ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 169A, 40V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIJ438ADP-T1-GE3
a partir de € 0,539*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTTFS022N15MC, VDSS 150 V, ID 37,2 A, WDFN de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 37,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = NTTFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dre...
onsemi
NTTFS022N15MC
a partir de € 1,597*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (3 ofertas) 
Vishay serie E MOSFET de potencia tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con configuración única.Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por con...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
a partir de € 0,901*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMJS1D6N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 250 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...
onsemi
NTMJS1D6N06CLTWG
€ 4.341,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SiJ462ADP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 39,3 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Sus cables flexibles proporcionan resistencia a la tensión mecánica.MOSFE...
Vishay
SiJ462ADP-T1-GE3
a partir de € 0,541*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, WPAK de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = BEAM Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenado...
Renesas Electronics
RJK0391DPA-00J5A
a partir de € 0,723*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 25A, 600V, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.104 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SIHB120N60E-GE3
a partir de € 2,22*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTP095N65S3HF, VDSS 650 V, ID 36 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
onsemi
NTP095N65S3HF
a partir de € 4,901*
por unidad
 
 unidades
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