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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.307 artículos)

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VISHAY SISS27ADN-T1-GE3 MOSFET CANAL P 30V/50A, POWERPAK 1212-8S (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Vishay
SISS27ADN-T1-GE3
a partir de € 0,361*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 2,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Bridgelux
BXP4N65D
a partir de € 0,166*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISA72DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 60A, 150°C, 52W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00285 ohm Gama de Producto TrenchFET IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Can...
Vishay
SISA72DN-T1-GE3
a partir de € 0,302*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMT095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TDFN4 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...
onsemi
NTMT095N65S3H
a partir de € 4,639*
por unidad
 
 unidades
Infineon
IPB65R310CFDATMA1
a partir de € 1,20*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSS30ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 54,7 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = POWERPAK 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = ...
Vishay
SiSS30ADN-T1-GE3
a partir de € 0,422*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMT190N65S3HF, VDSS 650 V, ID 20 A, PQFN4 8 x 8 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTMT190N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Dr...
onsemi
NTMT190N65S3HF
a partir de € 4,448*
por unidad
 
 unidades
Infineon
IPI65R190CFDXKSA1
a partir de € 1,64*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISB46DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 34A, 150°C, 23W (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 34 A Gama de Producto TrenchFET IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SISB46DN-T1-GE3
a partir de € 0,336*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET N-Canal 80 V (D-S).MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM) Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
a partir de € 0,453*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP65R190E6XKSA1
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, 1212-8 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
a partir de € 0,309*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMT125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TDFN4 de 8 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTMT125N65S3H
a partir de € 4,248*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SISS32DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 80V, 63A, 150°C, 65.7W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.006 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...
Vishay
SISS32DN-T1-GE3
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 175 A, DFNW8 de 8 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMTS4D3N15MC
a partir de € 4,465*
por unidad
 
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