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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.273 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CP
a partir de € 0,088*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQJ952EP-T1_GE3 MOSFET DOBLE CANAL N 60V POWERPAK SO-8L (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 23 A Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 4 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de ...
Vishay
SQJ952EP-T1_GE3
a partir de € 0,464*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMT090N65S3HF, VDSS 650 V, ID 36 A, PQFN4 8 x 8 de 4 pines (1 oferta) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTMT090N65S3HF
€ 10.200,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
VISHAY SQD100N04-3M6_GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, TO-252AA (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.003 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
Vishay
SQD100N04-3M6_GE3
a partir de € 0,922*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPI65R380C6 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPI65R380C6XKSA1
a partir de € 0,95*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, AEC-Q101, 200V, 22.5A (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SQJA20EP-T1_GE3
a partir de € 0,485*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS006N12MCT1G, VDSS 120 V, ID 93 A, DFN de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 93 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 120 V Serie = NTMFS006N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima D...
onsemi
NTMFS006N12MCT1G
€ 1.950,00*
por 1.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,7A; 208W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
SPB20N60C3
a partir de € 2,27*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQD10N30-330H_GE3 MOSFET, CANAL N, 300V, 10A, TO-252AA (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.275 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...
Vishay
SQD10N30-330H_GE3
a partir de € 1,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFSC010N08M7, VDSS 80 V, ID 61 A, DFN de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 61 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...
onsemi
NTMFSC010N08M7
a partir de € 0,706*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; Idm: 20A; 96W; IPAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: IPAK Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 3,1A Resistencia en estado de transferencia: 1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
ST Microelectronics
STD5NM60-1
a partir de € 0,66*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJA37EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 CANAL P -30V -30A 45W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0076 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SQJA37EP-T1_GE3
a partir de € 0,287*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP040N06N3 G transistore 100 V (1 oferta)
Infineon
IPP040N06N3GXKSA1
a partir de € 0,89*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,6A; 83W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 10,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPB65R380C6ATMA1
a partir de € 0,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.MOSFET de potencia TrenchFET®
Vishay
SQJA42EP-T1_GE3
a partir de € 0,439*
por unidad
 
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