Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
VISHAY SIRA28BDP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 38A, 30V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIRA28BDP-T1-GE3
a partir de € 0,15*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHH100N60E-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 28A, 150°C, 174W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.085 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Vishay
SIHH100N60E-T1-GE3
a partir de € 3,07*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,1A; 104W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,31Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPL65R310E6AUMA1
a partir de € 1,30*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIRA52ADP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 131A, 40V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0013 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIRA52ADP-T1-RE3
a partir de € 0,541*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 34,7W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 31,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPA65R110CFDXKSA1
a partir de € 3,05*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHH125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, 23 A., POWERPAK 8 x 8 de 4 pines (3 ofertas) 
El Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.Tecnología de la serie E de 4th generación Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva Menores p...
Vishay
SIHH125N60EF-T1GE3
a partir de € 2,77*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,6A; 151W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 16,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPL65R210CFDAUMA1
a partir de € 1,73*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIRA58ADP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 109A, 150°C, 56.8W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIRA58ADP-T1-RE3
a partir de € 0,432*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DS1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NXV65HR Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxima Drenador-Fue...
onsemi
NXV65HR82DS1
€ 21,751*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 31,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP65R110CFDXKSA1
a partir de € 3,06*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, 8 x 8 de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = 8 x 8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de Ca...
Vishay
SIHH150N60E-T1-GE3
a partir de € 2,34*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 135mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXTH32N65X
a partir de € 4,34*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHH180N60E-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 19A, 150°C, 114W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.155 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Vishay
SIHH180N60E-T1-GE3
a partir de € 2,19*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP65R190CFD transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPP65R190CFDXKSA1
a partir de € 2,32*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, SO-8 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 478 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Can...
Vishay
SIRS4302DP-T1-GE3
a partir de € 1,28*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1181   1182   1183   1184   1185   1186   1187   1188   1189   1190   1191   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.