MOSFET | MERCATEO (Página 1.189/1.673)

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MOSFET Vishay SiR870BDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas)

El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja y está sintonizado para el FOM RDS x QOSS más bajo.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV 100 % RG y prueb...

Vishay

SiR870BDP-T1-RE3

a partir de € 4,59*
por 5 unidades

MOSFET onsemi NVMYS3D3N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 133 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 133 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 R...

onsemi

NVMYS3D3N06CLTWG

a partir de € 1,066*
por unidad

VISHAY SQ1464EEH-T1_GE3 MOSFET AEC-Q CANAL N 60 V (D-S) 175C (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 1.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.8 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines ...

Vishay

SQ1464EEH-T1_GE3

a partir de € 0,80*
por 5 unidades

MOSFET ROHM RD3P130SPFRATL, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

El MOSFET de Rohm dispone de baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida. Es fácil de usar en paralelo y tiene baja resistencia de conexión.Sin plomo En conformidad con RoHS

ROHM Semiconductor

RD3P130SPFRATL

a partir de € 0,764*
por unidad

VISHAY SIRA18ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 30.6A, POWERPAK SO (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.007 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...

Vishay

SIRA18ADP-T1-GE3

a partir de € 0,128*
por unidad

MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...

Renesas Electronics

RJK0651DPB-00J5

€ 2.375,00*
por 2.500 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO247-3; 75ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 75ns Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 340A Resistencia en estado de transferencia: 3,2mΩ Tipo de transisto...

IXYS

IXFH340N075T2

a partir de € 6,80*
por unidad

VISHAY SQ1539EH-T1_GE3 MOSFET, COMPLEMENTARIO, 30V, 0.85A, 1.5W (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 850 mA Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente d...

Vishay

SQ1539EH-T1_GE3

a partir de € 0,175*
por unidad

MOSFET ROHM BSS84WT106, VDSS 60 V, ID 210 mA, UMT3 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...

ROHM Semiconductor

BSS84WT106

a partir de € 0,04*
por unidad

MOSFET Vishay SIRA20BDP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 335 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 335 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...

Vishay

SIRA20BDP-T1-GE3

a partir de € 0,56*
por unidad

MOSFET onsemi NVMYS7D3N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...

onsemi

NVMYS7D3N04CLTWG

a partir de € 0,475*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP (2 ofertas)

Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 5,5A Resistencia en estado de transferencia: 720mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...

ST Microelectronics

STF9N60M2

a partir de € 0,55*
por unidad

VISHAY SQ1912AEEH-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 0.8A, 175°C, 1.5W (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 800 mA Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente d...

Vishay

SQ1912AEEH-T1_GE3

a partir de € 0,234*
por unidad

MOSFET ROHM RD3P200SNTL1, VDSS 100 V, ID 20 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...

ROHM Semiconductor

RD3P200SNTL1

a partir de € 1,115*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 78A Resistencia en estado de transferencia: 11,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...

Alpha & Omega Semiconductor

AOT430

a partir de € 0,68*
por unidad

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