MOSFET | MERCATEO (Página 1.183/1.692)

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VISHAY SIHG039N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 63A, 600V, TO-247AC (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.034 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHG039N60E-GE3

a partir de € 6,11*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO263-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 0,225Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...

Infineon

IPB65R225C7ATMA1

a partir de € 1,46*
por unidad

MOSFET Vishay SiR570DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 77,4 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 77,4 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...

Vishay

SiR570DP-T1-RE3

a partir de € 0,988*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO263-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 22,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSF...

Infineon

IPB65R150CFDATMA1

a partir de € 1,93*
por unidad

VISHAY SIHG068N60EF-GE3 MOSFET, N CH, 600V, 41A, TO-247AC (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.059 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

Vishay

SIHG068N60EF-GE3

a partir de € 2,76*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,9A; 104,2W; PG-VSON-4 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 10,9A Resistencia en estado de transferencia: 0,34Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...

Infineon

IPL65R340CFDAUMA1

a partir de € 1,30*
por unidad

MOSFET Vishay SIR572DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 59,7 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas)

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.MOSFET de po...

Vishay

SIR572DP-T1-RE3

a partir de € 0,778*
por unidad

MOSFET onsemi NTP011N15MC, VDSS 150 V, ID 74,3 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta)

on Semiconductor serie NTP0 es un MOSFET de canal n con tecnología MOSFET de puerta apantallada que tiene una tensión de drenaje a fuente de 150 V. Se utiliza normalmente en rectificación síncrona ...

onsemi

NTP011N15MC

a partir de € 70,85*
por 50 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,185Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 290W...

IXYS

IXTA20N65X2

a partir de € 3,07*
por unidad

MOSFET Vishay SIHG105N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247AC de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 29 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = SiHG105N60EF Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,102 Ω Modo de Ca...

Vishay

SIHG105N60EF-GE3

a partir de € 1,95*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...

onsemi

NVMFD6H840NLWFT1G

€ 1.645,50*
por 1.500 unidades

MOSFET Vishay SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137,5 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = N-Channel 80 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...

Vishay

SIR5802DP-T1-RE3

a partir de € 3,76*
por 5 unidades

MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...

onsemi

NVMYS025N06CLTWG

€ 918,00*
por 3.000 unidades

VISHAY SIHG120N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 25A, 600V, TO-247AC (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.104 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHG120N60E-GE3

a partir de € 2,71*
por unidad

MOSFET onsemi NVBLS1D7N08H, VDSS 80 V, ID 241,3 A., H-PSOF8L de 8 pines (1 oferta)

The ON Semiconductor automotive power MOSFET in a TOLL package for efficient designs with high thermal performance. It has drain current of 241.3 A.Minimize conduction losses Minimize driver losses...

onsemi

NVBLS1D7N08H

€ 4.502,00*
por 2.000 unidades

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