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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

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VISHAY SIR696DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 125V, 60A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0096 ohm Gama de Producto ThunderFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal ...
Vishay
SIR696DP-T1-GE3
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTP125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTP125N65S3H
a partir de € 2,867*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SIHG21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 16,3 A, TO-247AC de 3 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Serie = E Series Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Vishay
SIHG21N80AEF-GE3
a partir de € 1,47*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP65R280E6XKSA1
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR800ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 177A, 20V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00112 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SIR800ADP-T1-GE3
a partir de € 0,746*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS010N10MCLTAG, VDSS 100 V, ID 57,8 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...
onsemi
NVTFS010N10MCLTAG
€ 873,00*
por 1.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Infineon
SPU03N60C3BKMA1
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHG24N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 20 A, TO-247AC (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Vishay
SIHG24N80AEF-GE3
a partir de € 1,99*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFD6H852NLT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...
onsemi
NVMFD6H852NLT1G
a partir de € 0,811*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIR870ADP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 100V, 60A, POWERSO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SIR870ADP-T1-RE3
a partir de € 1,23*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTP165N65S3H, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTP165N65S3H
a partir de € 3,17*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CI
a partir de € 0,108*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIHG35N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 32A, 600V, TO-247AC (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.084 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Vishay
SIHG35N60EF-GE3
a partir de € 2,97*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFS5H663NLT1G, VDSS 60 V, ID 67 A, DFN de 5 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspecti...
onsemi
NVMFS5H663NLT1G
€ 705,00*
por 1.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 32W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPA65R280E6XKSA1
a partir de € 1,18*
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