MOSFET | MERCATEO (Página 1.182/1.692)

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MOSFET Vishay SIHF068N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = SiHF068N60EF Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...

Vishay

SIHF068N60EF-GE3

a partir de € 2,515*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11,4A; 104,2W; PG-TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 11,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,31Ω Tipo de transistor: N-MOSF...

Infineon

IPP65R310CFDXKSA1

a partir de € 1,19*
por unidad

MOSFET Vishay SIR4608DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 42,8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SIR4608DP-T1-GE3

a partir de € 0,385*
por unidad

MOSFET onsemi NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible para inspección óp...

onsemi

NVMTS1D2N08H

€ 8.304,00*
por 3.000 unidades

VISHAY SIHF15N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 15A, TO-220FP (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...

Vishay

SIHF15N65E-GE3

a partir de € 1,70*
por unidad

MOSFET Vishay SiR510DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 126 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 126 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

Vishay

SiR510DP-T1-RE3

a partir de € 4,79*
por 5 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,185Ω Tipo de transi...

IXYS

IXTH20N65X2

a partir de € 3,35*
por unidad

VISHAY SIHF6N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-220FP (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N ...

Vishay

SIHF6N65E-GE3

a partir de € 0,976*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD5C462NT1G, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible...

onsemi

NVMFD5C462NT1G

€ 1.689,00*
por 1.500 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...

onsemi

FCP11N60

a partir de € 1,70*
por unidad

MOSFET Vishay SIR512DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SIR512DP-T1-RE3

a partir de € 0,844*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO262-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 22,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSF...

Infineon

IPI65R150CFDXKSA1

a partir de € 1,92*
por unidad

VISHAY SIHG018N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 99A, 600V, TO-247AC (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.021 ohm Gama de Producto E Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...

Vishay

SIHG018N60E-GE3

a partir de € 10,75*
por unidad

MOSFET Vishay SiR516DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 63,7 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SiR516DP-T1-RE3

a partir de € 0,761*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,185Ω Tipo de transi...

IXYS

IXTP20N65X2M

a partir de € 2,42*
por unidad

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