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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.802.359 artículos)

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YAGEO XSEMI XP4072CMT MOSFET, N-CH, 30V, 52A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto XP4072C Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Ca...
YAGEO XSEMI
XP4072CMT
a partir de € 0,592*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6504KND3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
a partir de € 0,632*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0,15A; 0,4W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 0,15A Resistencia en estado de transferencia: 380Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 0,4W...
IXYS
CPC3982TTR
a partir de € 0,233*
por unidad
 
 unidades
YAGEO XSEMI XP3700MT MOSFET, CANAL N Y P, 30V, 11A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 7.3 A Gama de Producto XP3700 Series Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Dr...
YAGEO XSEMI
XP3700MT
a partir de € 0,468*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3L03BATTL1, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-252. Se utiliza principalmente para conmutación.Baja resistencia de encendido Velocidad de conmutación rápida Circuitos de accionamiento s...
ROHM Semiconductor
RD3L03BATTL1
a partir de € 0,432*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 0,85Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 80W Po...
IXYS
IXTA4N70X2
a partir de € 1,65*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP4459YT MOSFET, P-CH, 30V, 12.7A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0135 ohm Gama de Producto XP4459 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Can...
YAGEO XSEMI
XP4459YT
a partir de € 0,51*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3G01BATTL1, VDSS 40 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
ROHM Semiconductor
RD3G01BATTL1
a partir de € 0,333*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 700ns Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 1A Resistencia en estado de transferencia: 14Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTP1N80P
a partir de € 1,37*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP3832CMT MOSFET DOBLE CANAL N, 30V, 27A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P - Corriente de Drenaje Continua Id C...
YAGEO XSEMI
XP3832CMT
a partir de € 2,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6013VND3TL1, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
R6013VND3TL1
a partir de € 0,822*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 8,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 310W...
onsemi
FDB045AN08A0
a partir de € 2,14*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP4N2R5MT MOSFET, CANAL N, 40V, 125A, DSOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00255 ohm Gama de Producto XP4N2R5 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
YAGEO XSEMI
XP4N2R5MT
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6507KND3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
ROHM Semiconductor
R6507KND3TL1
a partir de € 0,75*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPU80R3K3P7 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPU80R3K3P7AKMA1
a partir de € 0,50*
por unidad
 
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