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  MOSFET  (25.386 ofertas entre 5.871.005 artículos)

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MOSFET ROHM QH8MB5TCR, VDSS 40 V, ID 4,5 A, 5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A, 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TSMT-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 R...
ROHM Semiconductor
QH8MB5TCR
a partir de € 0,245*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQJ204EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 DOBLE CANAL N 12V 60A (1 oferta) 
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P...
Vishay
SQJ204EP-T1_GE3
a partir de € 0,47*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6511KND3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...
ROHM Semiconductor
R6511KND3TL1
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 106A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 200W Polarización: unipolar Clase ...
Infineon
IRF3808STRRPBF
a partir de € 736,832*
por 800 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SiSS22LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 92,5 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 92,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TrenchFET® Gen IV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia...
Vishay
SiSS22LDN-T1-GE3
a partir de € 0,428*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS670T116, VDSS 60 V, ID 650 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 650 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
BSS670T116
a partir de € 186,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3,2A; 56,5W; TO251A (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO251A Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 3,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AOI950A70
a partir de € 0,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQJ211ELP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 33,6 A., PowerPAK SO-8L de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33,6 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxim...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
a partir de € 0,515*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS3L110ATTB1, VDSS 60 V, ID 11 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
a partir de € 0,889*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 0,58Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F80S
a partir de € 8,15*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS23DN-T1-GE3 MOSFET CANAL P -20V -50A POWERPAK 1212 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pin...
Vishay
SISS23DN-T1-GE3
a partir de € 0,253*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM R6000ENHTB1, VDSS 600 V, ID 500 mA, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 500 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenci...
ROHM Semiconductor
R6000ENHTB1
a partir de € 0,25*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFBE20PBF, VDSS 800 V, ID 1,8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFBE20PBF
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ244EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 DOBLE CANAL N 40V 60A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 ...
Vishay
SQJ244EP-T1_GE3
a partir de € 0,53*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6520ENX, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220FM de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
El R6520ENX es un MOSFET de alimentación con baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida, y es ideal para aplicaciones de conmutación.Baja resistencia Velocidad de conmutación rá...
ROHM Semiconductor
R6520ENX
a partir de € 4,08*
por 2 unidades
 
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