Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.057 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0,1A; 1,8W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 0,1A Resistencia en estado de transferencia: 45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,8W ...
IXYS
CPC3980ZTR
a partir de € 0,42*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 111.9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...
Vishay
SiSS61DN-T1-GE3
a partir de € 0,358*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJA37EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 CANAL P -30V -30A 45W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0076 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SQJA37EP-T1_GE3
a partir de € 0,287*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RE1E002SPTCL, VDSS 30 V, ID 250 mA, SOT-416FL de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-416FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
ROHM Semiconductor
RE1E002SPTCL
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 520A Resistencia en estado de transferencia: 2,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,25k...
IXYS
IXFK520N075T2
a partir de € 9,76*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS71DN-T1-GE3 MOSFET CANAL P -100V, -23A, POWERPAK1212 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.047 ohm Gama de Producto ThunderFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISS71DN-T1-GE3
a partir de € 2,595*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTP8N70X2
a partir de € 2,00*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.MOSFET de potencia TrenchFET®
Vishay
SQJA42EP-T1_GE3
a partir de € 0,479*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6504KND3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
a partir de € 0,632*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Ajustado para el FOM RDS x ...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
a partir de € 0,475*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPN70R1K0CE transistore 650 V (1 oferta)
Infineon
IPN70R1K0CEATMA1
a partir de € 0,48*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJA70EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, 100V, POWERPACK SO (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.078 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SQJA70EP-T1_GE3
a partir de € 0,247*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RF4G100BGTCR, VDSS 40 V, ID 10 A, HUML2020L8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = HUML2020L8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RF4G100BGTCR
a partir de € 0,271*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 78A Resistencia en estado de transferencia: 10,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT470
a partir de € 0,72*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS80DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 20V, 210A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 760 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...
Vishay
SISS80DN-T1-GE3
a partir de € 0,68*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1211   1212   1213   1214   1215   1216   1217   1218   1219   1220   1221   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.