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  MOSFET  (25.386 ofertas entre 5.871.005 artículos)

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VISHAY SQD70140EL_GE3 MOSFET, CANAL N, 100V, 30A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
Vishay
SQD70140EL_GE3
a partir de € 3,165*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 60 V, ID 5,5 A, TSMT-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TSMT-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RQ7L055BGTCR
€ 0,416*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH110DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 13.5A, 150°C, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0044 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SISH110DN-T1-GE3
a partir de € 0,532*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-3PF. Se utiliza principalmente para conmutación.Tiempo de recuperación inversa rápido (trr) Baja resistencia Velocidad de conmutación rápi...
ROHM Semiconductor
QH8JC5TCR
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPU80R2K4P7 transistore 700 V (1 oferta)
Infineon
IPU80R2K4P7AKMA1
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQJ136ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 350 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima D...
Vishay
SQJ136ELP-T1_GE3
a partir de € 0,669*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6504KND3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
a partir de € 0,632*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTP8N70X2
a partir de € 2,01*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH116DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 10.5A, 150°C, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISH116DN-T1-GE3
a partir de € 0,621*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM400D12P3G002, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Módulo (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400D12P3G002
a partir de € 1.148,311*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ148EP-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 15A, POWERPAK SO (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.027 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Vishay
SQJ148EP-T1_GE3
a partir de € 0,223*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RRR040P03HZGTL, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-346T de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-346T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
RRR040P03HZGTL
a partir de € 0,229*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10,71A; 190W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 10,71A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
ST Microelectronics
STW18NM80
a partir de € 2,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
a partir de € 0,165*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM QH8KB6TCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = QH8KB6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenad...
ROHM Semiconductor
QH8KB6TCR
a partir de € 0,422*
por unidad
 
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