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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.802.359 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,52A; Idm: 9,6A; 85W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 1,52A Resistencia en estado de transferencia: 6,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FQP2N80
a partir de € 0,73*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP60PN72REN MOSFET, CANAL N, 600V, 0.053A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 72 ohm Gama de Producto XP60PN72 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal...
YAGEO XSEMI
XP60PN72REN
a partir de € 0,214*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6511KND3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...
ROHM Semiconductor
R6511KND3TL1
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,57A; 25W; TO220FP; ESD (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 1,57A Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
ST Microelectronics
STF3NK80Z
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT MOSFET, N-CH, 30V, 38.7A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0095 ohm Gama de Producto XP3N9R5A Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
YAGEO XSEMI
XP3N9R5AYT
a partir de € 0,314*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3P03BBHTL1, VDSS 6 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 6 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Can...
ROHM Semiconductor
RD3P03BBHTL1
a partir de € 0,483*
por unidad
 
 unidades
YAGEO XSEMI XP65SL190DI MOSFET, CANAL N, 650V, 20A, TO-220CFM (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.19 ohm Gama de Producto XP65SL190D Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Cana...
YAGEO XSEMI
XP65SL190DI
a partir de € 4,19*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3L01BATTL1, VDSS 60 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-252. Se utiliza principalmente para conmutación.Baja resistencia de encendido Velocidad de conmutación rápida Circuitos de accionamiento s...
ROHM Semiconductor
RD3L01BATTL1
a partir de € 0,333*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 403W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,43Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8043BLLG
a partir de € 22,10*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP3NA3R4MT MOSFET, N-CH, 30V, 73A, PMPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0034 ohm Gama de Producto XP3NA3R4 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
YAGEO XSEMI
XP3NA3R4MT
a partir de € 0,611*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6070JNZ4C13, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247G de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 70 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247G Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
ROHM Semiconductor
R6070JNZ4C13
a partir de € 9,465*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPU80R2K4P7 transistore 700 V (1 oferta)
Infineon
IPU80R2K4P7AKMA1
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT MOSFET, CANAL N, 60V, 210A, DSOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00145 ohm Gama de Producto XP6NA1R4C Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
YAGEO XSEMI
XP6NA1R4CXT
a partir de € 4,76*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6520ENX, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220FM de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
El R6520ENX es un MOSFET de alimentación con baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida, y es ideal para aplicaciones de conmutación.Baja resistencia Velocidad de conmutación rá...
ROHM Semiconductor
R6520ENX
a partir de € 4,08*
por 2 unidades
 
 envase
YAGEO XSEMI XP3P010M MOSFET, P-CH, 30V, 13.3A, SO-8 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto XP3P010 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Cana...
YAGEO XSEMI
XP3P010M
a partir de € 0,736*
por unidad
 
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