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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 28mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSS32136C
a partir de € 0,0599*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PSMN4R3-40MSHX MOSFET, CANAL N, 40V, 95A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN4R3-40MSHX
a partir de € 0,443*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB180P04P4L02ATMA2, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene la capacidad de corriente más alta y se ha probado un 100 % de avalancha. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas...
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2
€ 1.803,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 19A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 46W Polarización: unipolar Clase...
Infineon
IRFI4229PBF
a partir de € 1,77*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R7-40YLDX MOSFET, CANAL N, 40V, 200A, 175°C, 194W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0015 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN1R7-40YLDX
a partir de € 0,888*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB011N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 201 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 201 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB011N04NF2SATMA1
a partir de € 2,06*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS STW52NK25Z MOSFET, N CH, 250V, 52A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.033 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...
ST Microelectronics
STW52NK25Z
a partir de € 2,72*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R8-30MLHX MOSFET, CANAL N, 30V, 150A, 175°C, 106W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00176 ohm Gama de Producto NextPowerS3 Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Cana...
Nexperia
PSMN1R8-30MLHX
a partir de € 0,444*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB120N06S4H1ATMA2, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon OptiMOS™-T2 de potencia de canal N. Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica.Canal N - Modo de mejora Temperatura de funcionamien...
Infineon
IPB120N06S4H1ATMA2
a partir de € 2,507*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PSMN5R0-40MLHX MOSFET, CANAL N, 40V, 85A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0039 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN5R0-40MLHX
a partir de € 0,385*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 N...
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1
a partir de € 1,214*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; PLUS247™; 177ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 177ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 240A Resistencia en estado de transferencia: 5mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFX240N25X3
a partir de € 21,97*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN2R2-30YLC,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0018 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN2R2-30YLC,115
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB120N08S4-04 transistore 80 V (1 oferta)
Infineon
IPB120N08S404ATMA1
€ 1.803,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPB012N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 197 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 197 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB012N04NF2SATMA1
a partir de € 1,788*
por unidad
 
 unidades
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