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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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MOSFET Infineon IPB015N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 195 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 195 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB015N06NF2SATMA1
a partir de € 1,729*
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MOSFET Nexperia PSMN3R5-80YSFX, VDSS 80 V, ID 150 A, LFPAK56E de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = LFPAK56E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Número ...
Nexperia
PSMN3R5-80YSFX
a partir de € 1,29*
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MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene la capacidad de corriente más alta y se ha probado un 100 % de avalancha. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas...
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2
a partir de € 2,471*
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VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 MOSFET, DUAL, CANAL N, 20V, 8A, NSOIC-8 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 8 A Tipo de Ca...
Vishay
SI9926CDY-T1-GE3
a partir de € 0,47*
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 unidad
NEXPERIA PSMN6R8-40HSX MOSFET, CANAL N, 40V, 40A, LFPAK56D (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 64 W Disipación de Potencia Canal P 64 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK56D Calificación - Sustancia ...
Nexperia
PSMN6R8-40HSX
a partir de € 0,691*
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 unidad
MOSFET Infineon IPB60R055CFD7ATMA1, VDSS 600 V, ID 38 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dr...
Infineon
IPB60R055CFD7ATMA1
a partir de € 4,689*
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 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 48mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 38...
onsemi
FDPF51N25
a partir de € 1,19*
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 unidad
NEXPERIA PSMN4R3-40MLHX MOSFET, CANAL N, 40V, 95A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0034 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN4R3-40MLHX
a partir de € 0,424*
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 unidad
NEXPERIA PSMN7R0-30YLC,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 61A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.006 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
Nexperia
PSMN7R0-30YLC,115
a partir de € 0,203*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN5R0-40MSHX MOSFET, CANAL N, 40V, 85A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0039 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN5R0-40MSHX
a partir de € 0,44*
por unidad
 
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MOSFET Infineon IPB156N22NFDATMA1, VDSS 220 V, ID 72 A, PG-TO 263-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 220 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB156N22NFDATMA1
a partir de € 5,624*
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NEXPERIA PSMN7R5-30MLDX MOSFET, CANAL N, 30V, 57A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0063 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN7R5-30MLDX
a partir de € 0,207*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R070CFD7ATMA1, VDSS 600 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 N...
Infineon
IPB60R070CFD7ATMA1
a partir de € 4,822*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 49mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 392W...
onsemi
FDA59N25
a partir de € 2,16*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN5R5-100YSFX MOSFET, CANAL N, 100V, 115A, SOT-669 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Nexperia
PSMN5R5-100YSFX
a partir de € 0,995*
por unidad
 
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