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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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NEXPERIA PSMP061-60YEX MOSFET, CANAL P, 60V, 25A, LFPAK56 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.048 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Mo...
Nexperia
PSMP061-60YEX
a partir de € 0,444*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB048N15N5LFATMA1, VDSS 150 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPB048N15N5LFATMA1
a partir de € 7,079*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 266ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTK90N25L2
a partir de € 23,31*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN8R5-40MSDX MOSFET, CANAL N, 40V, 60A, LFPAK33-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0074 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN8R5-40MSDX
a partir de € 0,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 de 3 pines (1 oferta) 
Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie...
Infineon
IPB60R040C7ATMA1
a partir de € 8,307*
por unidad
 
 unidad
NXP MC33816AE CONTROL MOSFET, LADO ALTO/BAJO, LQFP-64 (1 oferta) 
Corriente de Suministro 230 mA Tipo de Interruptor de Potencia MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada No Inversión Tensión de Alimentación Máx. 5.25 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MS...
NXP
MC33816AE
a partir de € 5,91*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
a partir de € 1,006*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO251A Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 0,56Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Alpha & Omega Semiconductor
AOI8N25
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN9R3-60HSX MOSFET, CANAL N, 60V, 40A, LFPAK56D (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 40 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continu...
Nexperia
PSMN9R3-60HSX
a partir de € 0,778*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10,1A; 160W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 10,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,27Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 16...
onsemi
FQD16N25CTM
a partir de € 0,50*
por unidad
 
 unidad
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS G3VM-401G RELAY, MOSFET, SPNO (3 ofertas) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 1 µA Gama de Producto G3VM Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 35 ohm Tipo de Carga AC ...
Omron
G3VM-401G
a partir de € 1,50*
por unidad
 
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MOSFET Infineon IPB060N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 136 A, PG-TO263-7 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 136 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB060N15N5ATMA1
a partir de € 5,109*
por unidad
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0,22A; 0,35W; SOT23 (3 ofertas) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 25V Corriente del drenaje: 0,22A Resistencia en estado de transferencia: 9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 0,35W...
onsemi
FDV301N
a partir de € 0,0317*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMNR67-30YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 365A, SOT-1023 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 640 µohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Nexperia
PSMNR67-30YLEX
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R045P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 61 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 61 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 N...
Infineon
IPB60R045P7ATMA1
a partir de € 3,96*
por unidad
 
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