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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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NEXPERIA PSMN7R6-100BSEJ MOSFET, CANAL N, 100V, 75A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN7R6-100BSEJ
a partir de € 1,32*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB018N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 187 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 187 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPB018N06NF2SATMA1
a partir de € 0,849*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXFA60N25X3
a partir de € 4,41*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN6R0-25YLB,115 MOSFET, CANAL N, 25V, 73A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0051 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN6R0-25YLB,115
a partir de € 0,194*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB160N04S4H1ATMA1, VDSS 40 V, ID 160 A, PG-TO263-7-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB160N04S4H1ATMA1
a partir de € 2,01*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PSMN8R5-40HSX MOSFET, CANAL N, 40V, 30A, LFPAK56D (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 30 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Continu...
Nexperia
PSMN8R5-40HSX
a partir de € 0,587*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R090CFD7ATMA1, VDSS 600 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R090CFD7 en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomuni...
Infineon
IPB60R090CFD7ATMA1
a partir de € 3,386*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SUM10250E-GE3 MOSFET CANAL N, 250V, 63.5A, 175°C, 375W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0247 ohm Gama de Producto ThunderFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal ...
Vishay
SUM10250E-GE3
a partir de € 1,68*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN6R1-40HLX MOSFET, CANAL N, 40V, 40A, LFPAK56D (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 40 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Continu...
Nexperia
PSMN6R1-40HLX
a partir de € 0,718*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB180N04S4-00 transistore 40 V (1 oferta)
Infineon
IPB180N04S400ATMA1
€ 2.350,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
NEXPERIA PSMN8R5-40MLDX MOSFET, CANAL N, 40V, 60A, LFPAK33-8 (2 ofertas) 
Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK33 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 59...
Nexperia
PSMN8R5-40MLDX
a partir de € 0,26*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB024N08N5 transistore 80 V (3 ofertas)
Infineon
IPB024N08N5ATMA1
a partir de € 1,73*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO3P; 95ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor: N...
IXYS
IXFQ60N25X3
a partir de € 4,87*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN6R5-25YLC,115 MOSFET, CANAL N, 25V, 64A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN6R5-25YLC,115
a partir de € 0,203*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R099CPAATMA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-263 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-263 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 M...
Infineon
IPB60R099CPAATMA1
a partir de € 4,047*
por unidad
 
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