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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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NEXPERIA PSMN6R7-40MLDX MOSFET, CANAL N, 40V, 50A, 175°C, 65W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN6R7-40MLDX
a partir de € 0,241*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, PG-TO263-7-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB180N10S403ATMA1
a partir de € 3,941*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN9R1-30YL,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 57A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0078 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN9R1-30YL,115
a partir de € 0,179*
por unidad
 
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MOSFET Infineon IPB032N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, PG-TO263-7 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB032N10N5ATMA1
a partir de € 3,881*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 148ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia: 44mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ76N25T
a partir de € 3,61*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN7R0-100BS,118 MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, TO-263 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0054 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN7R0-100BS,118
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMNR51-25YLHX MOSFET, CANAL N, 25V, 380A, 175°C, 333W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 490 µohm Gama de Producto NextPowerS3 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMNR51-25YLHX
a partir de € 1,43*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB60R120P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 26 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de pue...
Infineon
IPB60R120P7ATMA1
a partir de € 2,287*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPB180P04P4L02ATMA2, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = IPB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenado...
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2
a partir de € 2,683*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 540mA; Idm: 5A; 1W; TO92 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO92 Tensión drenaje-fuente: 240V Corriente del drenaje: 0,54A Resistencia en estado de transferencia: 1,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
Microchip Technology
VN2224N3-G
a partir de € 2,10*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMNR56-25YLEX MOSFET, CANAL N, 25V, 320A, SOT-1023 (1 oferta) 
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 25 V Disipación de Potencia 333 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensión de P...
Nexperia
PSMNR56-25YLEX
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB039N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 160 A, PG-TSDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TSDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB039N10N3GATMA1
a partir de € 1,94*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPB407N30NATMA1, VDSS 300 V, ID 44 A, PG-TO 263-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 300 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB407N30NATMA1
a partir de € 5,515*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0,8A; 1,2W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 240V Corriente del drenaje: 0,22A Resistencia en estado de transferencia: 12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Diodes
DMN24H11DS-7
a partir de € 0,148*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMNR82-30YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 330A, SOT-669 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 730 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Nexperia
PSMNR82-30YLEX
a partir de € 1,25*
por unidad
 
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