MOSFET | MERCATEO (Página 1.193/1.692)

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MOSFET onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requ...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

€ 2.583,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transis...

IXYS

IXTP20N65XM

a partir de € 4,80*
por unidad

MOSFET Vishay SISH107DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 34,4 A, 1212-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de ...

Vishay

SISH107DN-T1-GE3

a partir de € 0,259*
por unidad

MOSFET ROHM BSM400D12P2G003, VDSS 1.200 V, ID 400 A, Lote (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM400D12P2G003

€ 7.778,344*
por 4 unidades

VISHAY SIHU4N80E-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 4.3A, 150°C, 69W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.1 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...

Vishay

SIHU4N80E-GE3

a partir de € 0,995*
por unidad

MOSFET onsemi NVTFS010N10MCLTAG, VDSS 100 V, ID 57,8 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 57,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

a partir de € 1,053*
por unidad

MOSFET Vishay SiSH892BDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...

Vishay

SiSH892BDN-T1-GE3

a partir de € 0,268*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 74 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...

onsemi

NVMFD6H840NLWFT1G

a partir de € 1,822*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3PF Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 70W Po...

IXYS

IXTQ48N65X2M

a partir de € 6,76*
por unidad

MOSFET Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = IPAK (TO-251) Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pin...

Vishay

SIHU5N80AE-GE3

a partir de € 0,43*
por unidad

MOSFET ROHM BSM600C12P3G201, VDSS 1.200 V, ID 576 A, Bandeja (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 576 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM600C12P3G201

€ 5.137,212*
por 4 unidades

MOSFET Vishay SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (3 ofertas)

El Vishay SIHU6N80AE-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por conmutación y conducción Carga de compuerta (Qg) ult...

Vishay

SIHU6N80AE-GE3

a partir de € 0,531*
por unidad

MOSFET onsemi NVTFS4C02NTAG, VDSS 30 V, ID 28,3 A, WDFN de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 28,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = NVTFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...

onsemi

NVTFS4C02NTAG

a partir de € 1,283*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,185Ω Tipo de transi...

IXYS

IXTP20N65X2

a partir de € 2,39*
por unidad

VISHAY SISS04DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 80A, POWERPAK 1212 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.001 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...

Vishay

SISS04DN-T1-GE3

a partir de € 0,541*
por unidad

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