MOSFET | MERCATEO (Página 1.199/1.693)

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MOSFET Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET N-Channel 30 V (D-S) con Diodo Schottky.MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV SKYFET® con diodo Schottky monolítico RDS x Qg y RDS x QGD FOM optimizados permiten una mayor eficiencia en l...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

a partir de € 0,525*
por unidad

MOSFET ROHM BSM180C12P2E202, VDSS 1.200 V, ID 204 A, Bandeja (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 204 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM180C12P2E202

a partir de € 521,88*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6,3A; 45W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...

Taiwan Semiconductor

TSM10NC65CF C0G

a partir de € 0,91*
por unidad

MOSFET Vishay SIR4608LDP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 43,4 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 43,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SIR4608LDP-T1-GE3

a partir de € 0,413*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 145W; TO251 (1 oferta)

Fabricante: BRIDGELUX Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 3,9A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...

Bridgelux

BXP7N65U

a partir de € 0,31*
por unidad

MOSFET Vishay SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127,5 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas)

El Vishay SiSS63DN-T1-GE3 es un MOSFET de canal P 20V (D-S).MOSFET de alimentación de canal p TrenchFET® Gen III RDS(on) de liderazgo en encapsulado térmicamente mejorado y compacto 100 % Rg y prue...

Vishay

SiSS63DN-T1-GE3

a partir de € 0,367*
por unidad

MOSFET ROHM RD3G01BATTL1, VDSS 40 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...

ROHM Semiconductor

RD3G01BATTL1

a partir de € 0,333*
por unidad

MOSFET Vishay SiR500DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 350,8 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 350,8 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...

Vishay

SiR500DP-T1-RE3

a partir de € 0,638*
por unidad

MOSFET onsemi NVTFS010N10MCLTAG, VDSS 100 V, ID 57,8 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

€ 873,00*
por 1.500 unidades

MOSFET Vishay SISS66DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 178,3 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 178,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...

Vishay

SISS66DN-T1-GE3

a partir de € 0,54*
por unidad

MOSFET ROHM BSM180D12P2E002, VDSS 1.200 V, ID 204 A, Módulo (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 204 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM180D12P2E002

€ 2.455,668*
por 4 unidades

Infineon IPA65R660CFD transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPA65R660CFDXKSA1

a partir de € 0,73*
por unidad

MOSFET Vishay SIR5112DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 42,6 A, SO-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de C...

Vishay

SIR5112DP-T1-RE3

a partir de € 0,665*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO262-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 31,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSF...

Infineon

IPI65R110CFDXKSA1

a partir de € 3,07*
por unidad

MOSFET ROHM RD3G03BBGTL1, VDSS 40 V, ID 65 A, TO-252 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RD3G03BBGTL1

a partir de € 0,442*
por unidad

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