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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

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VISHAY SISS22DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 90.6A, 65.7W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00325 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SISS22DN-T1-GE3
a partir de € 0,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS138BWAHZGT106, VDSS 60 V, ID 380 mA, UMT de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
ROHM Semiconductor
BSS138BWAHZGT106
a partir de € 0,387*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 2,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ4N65CP
a partir de € 0,138*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SiJA54ADP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 126 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 126 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 M...
Vishay
SiJA54ADP-T1-GE3
a partir de € 0,754*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ1, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DZ1
a partir de € 20,88*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22,4A; 34,7W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 22,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPA65R150CFDXKSA1
a partir de € 3,04*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFS5C420NT1G, VDSS 40 V, ID 268 A, DFN de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 268 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = NVMFS5C Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Dre...
onsemi
NVMFS5C420NT1G
a partir de € 1,858*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 4...
Toshiba
TK6A65D(STA4,Q,M)
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 225 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima ...
Vishay
SIJH112E-T1-GE3
a partir de € 2,00*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS26DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 60A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISS26DN-T1-GE3
a partir de € 0,835*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS670T116, VDSS 60 V, ID 650 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 650 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
BSS670T116
a partir de € 186,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SIJH800E-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 299 A, POWERPAK 8 x 8L de 4 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 299 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = N-Channel 80-V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
Vishay
SIJH800E-T1-GE3
a partir de € 2,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-3PN de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1500 V Tipo de Encapsulado = TO-3PN Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
Renesas Electronics
2SK1835-E
a partir de € 187,86*
por 30 unidades
 
 envase
VISHAY SISS27ADN-T1-GE3 MOSFET CANAL P 30V/50A, POWERPAK 1212-8S (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Vishay
SISS27ADN-T1-GE3
a partir de € 0,359*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFSC0D9N04C, VDSS 40 V, ID 313 A, DFN de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N de potencia de refrigeración doble de on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico....
onsemi
NVMFSC0D9N04C
a partir de € 4,032*
por unidad
 
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