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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

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"MOSFET"

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Infineon IPS65R1K4C6 transistore 800 V (1 oferta)
Infineon
IPS65R1K4C6AKMA1
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS5112DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 40,7 A, 1212-8S de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo d...
Vishay
SISS5112DN-T1-GE3
a partir de € 0,499*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA65R660CFD transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPA65R660CFDXKSA1
a partir de € 0,73*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR424DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 30A, POWERPAK SO (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0046 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SIR424DP-T1-GE3
a partir de € 0,348*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM BSM180C12P2E202, VDSS 1.200 V, ID 204 A, Bandeja (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 204 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM180C12P2E202
a partir de € 571,775*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CP
a partir de € 0,0873*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SiSS54DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 185,6 A., POWERPAK 1212-8SH de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 185,6 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...
Vishay
SiSS54DN-T1-GE3
a partir de € 0,602*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMYS011N04CTWG, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
onsemi
NVMYS011N04CTWG
a partir de € 0,597*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPD65R420CFD transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPD65R420CFDATMA1
a partir de € 0,86*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiR450DP-T1-RE3, VDSS 45 V, ID 113 A, POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 113 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 45 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...
Vishay
SiR450DP-T1-RE3
a partir de € 0,574*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DS2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NXV65HR Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 16 Resistencia Máxima Drenador-Fue...
onsemi
NXV65HR82DS2
€ 1.495,80*
por 72 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 46W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 3,9A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
Bridgelux
BXP7N65CF
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26,2 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...
Vishay
SISS5710DN-T1-GE3
a partir de € 0,794*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM QH8KB5TCR, VDSS 40 V, ID 4,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = QH8KB5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
ROHM Semiconductor
QH8KB5TCR
€ 849,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62,5W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,66Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPD65R660CFDATMA1
a partir de € 1,09*
por unidad
 
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