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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.863.839 artículos)

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MOSFET Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SiHU5N80AE Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTH20N65X
a partir de € 5,55*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTA8N70X2
a partir de € 1,74*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (3 ofertas) 
El Vishay SIHU6N80AE-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por conmutación y conducción Carga de compuerta (Qg) ult...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
a partir de € 0,521*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3,2A; 56,5W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 3,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD950A70
a partir de € 0,49*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS04DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 80A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.001 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...
Vishay
SISS04DN-T1-GE3
a partir de € 0,541*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS5124PLTAG, VDSS 60 V, ID 1,7 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5124PLTAG
€ 403,50*
por 1.500 unidades
 
 envase
Infineon
IPW65R080CFDFKSA1
a partir de € 7,90*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHW21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17,4 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = TO-247AD Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
Vishay
SIHW21N80AE-GE3
a partir de € 2,11*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22,4A; 34,7W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 22,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPA65R150CFDXKSA1
a partir de € 3,06*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS06DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 172.6A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00115 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SISS06DN-T1-GE3
a partir de € 0,415*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: IPAK Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 150W Pol...
IXYS
IXTU8N70X2
a partir de € 1,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIJ4108DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 56,7 A, SO-8L de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 56,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo de ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
a partir de € 0,731*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS10ADN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 109A, 150°C, 56.8W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SISS10ADN-T1-GE3
a partir de € 0,28*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIJ494DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 150V/36.8A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0193 ohm Gama de Producto ThunderFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal ...
Vishay
SIJ494DP-T1-GE3
a partir de € 0,749*
por unidad
 
 unidad
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